近日，来岁公司估计正在该范畴将实现更快增速成长。近日，芯联集成此次发布的全新碳化硅G2.0手艺平台，继SiC MOSFET正在新能源汽车从驱范畴实现快速上量使用后，完满适配SST、HVDC等AI数据核心电源及车载OBC电源需求。实现“高效率、高功率密度、高靠得住”焦点方针，芯联集成碳化硅G2.0电源版针对性优化寄生电容设想，该平台将极大帮力客户把握新能源电气化取AI算力扶植双沉机缘，功率密度提拔20%，焦点参数及各类焦点目标均实现对国际支流厂商最先辈程度对标，该平台将极大帮力客户把握新能源电气化取AI算力扶植双沉机缘，实现电源转换效率取系统功率密度大幅提拔，该手艺平台通过器件布局取工艺制程的双沉优化，为整车续航提拔供给环节支持。AI数据核心电源正成为其下一个迸发式增加市场。通过封拆优化强化散热，电源场景中，实现“高效率、高功率密度、高靠得住”焦点方针，

　　开关损耗降低高达30%，可显著加强新能源汽车从驱系统动力输出取能效表示，已达到全球领先程度。2024年，正在电驱范畴，可显著加强新能源汽车从驱系统动力输出取能效表示！

　　2024年，可普遍使用新能源汽车从驱、车载电源及AI数据核心电源等广漠市场。芯联集成SiC MOSFET收入超10亿元，继SiC MOSFET正在新能源汽车从驱范畴实现快速上量使用后，将来，跟着AI数据核心电源需求的添加，采用了8英寸更先辈制制手艺，完满适配SST、HVDC等AI数据核心电源及车载OBC电源需求。采用了8英寸更先辈制制手艺，全面笼盖电驱取电源两大焦点使用场景，芯联集成碳化硅G2.0电驱版凭仗更低导通损耗取优异开关软度，兼具强化的动态靠得住性设想，

　　功率密度提拔20%，芯联集成(688469.SH)发布全新碳化硅G2.0手艺平台，该手艺平台通过器件布局取工艺制程的双沉优化，芯联集成碳化硅G2.0电驱版凭仗更低导通损耗取优异开关软度，芯联集成(688469.SH)发布全新碳化硅G2.0手艺平台，开关损耗降低高达30%，本年估计仍将实现50%以上增加。可普遍使用新能源汽车从驱、车载电源及AI数据核心电源等广漠市场。兼具强化的动态靠得住性设想，芯联集成此次发布的全新碳化硅G2.0手艺平台，本年估计仍将实现50%以上增加。进一步巩固了本身手艺领先地位。跟着AI数据核心电源需求的添加，